圖／中山大學晶體研究中心團隊成功的開發出碳化矽晶體技術，獨步全國。(中山大學檔案照)
記者陳雯萍／高雄報導
全球鬧晶片荒，國立中山大學晶體研究中心首創全國大專校院，著手研發晶體生長設備及相關技術，透過2200oC以上的超高溫生長出碳化矽晶體，是目前國內唯一具備生長6至8吋晶圓設備的研究中心，而且製程不假手他國，MIT高品質晶體，助攻台灣半導體產業升級。
中山大學材料與光電科學學系講座教授兼晶體研究中心主任周明奇表示，晶體中心將與2家大型上市公司攜手開發高純度碳化矽粉末、坩堝及隔熱材料等上游原物料，中心並負責開發碳化矽晶體生長技術及長晶設備，而技術移轉的設備公司，則負責碳化矽晶體的生長及切磨拋，三方將朝成立碳化矽晶體生長公司的目標邁進。
圖／中山大學晶體研究中心團隊成功的開發出碳化矽晶體技術，獨步全國。(中山大學檔案照)
此外，中心將結合原已由中山大學主導的「材料國際學院」，將化合物半導體的原物料合成及晶體生長等知識納入課程，藉此培養第三代半導體材料相關領域人才。
周明奇表示，台灣半導體產業獨步全球，晶圓代工居全球之冠，但在發展5G、電動車等新興科技，卻因缺乏第三代半導體材料「碳化矽」與「氮化鎵」晶體，而發展受限，國內極少公司投入生產碳化矽及氮化鎵晶體，目前市面投入生產的公司而言，常導致生長晶體良率太低。
中山大學晶體研究中心是在科技部自然司物理學門（TCECM）的支持，與教育部高教深耕計畫經費挹注，克服技術難關，具備生長碳化矽晶體的實力，而研發的關鍵在於研發團隊從生長晶體的「長晶爐」到長晶技術，全部自行設計研發，關鍵技術不倚賴國外廠商。
周明奇指出，此刻，中山大學將把生長碳化矽晶體的核心技術，「根留台灣」，助國內半導體產業加速升級，進而鞏固台灣在全球半導體版圖中的領先地位。
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